截至 2026 年 5 月，中国在量产、研发、实验室三个层面的工艺精度如下：

一、已量产：7nm（N+2）、5nm 级（N+3）

• 7nm（N+2）：中芯国际稳定量产，良率约92%+，用 DUV 多重曝光，无 EUV。代表：华为麒麟 9000S/9010。

• 5nm 级（N+3）：中芯国际已量产，性能接近国际 5nm，同样 DUV 多重曝光。代表：华为麒麟 9030。

二、研发中：2nm（流片成功）

• 2026 年 3 月宣布2nm 工艺首次流片成功，采用 GAA 环绕栅极 + DUV 多重曝光，良率85%+，计划 2028 年量产。

三、实验室：1nm（晶体管）、0.7nm（材料）

• 1nm 晶体管：北大团队用碳纳米管实现1nm 栅极，实验室验证。

• 0.7nm 材料：国防科大 + 中科院金属所研发二维半导体材料，极限厚度0.7nm，等效 1nm 特性。

小结

• 量产最高：5nm 级（N+3）

• 研发最新：2nm（流片）

• 实验室极限：1nm（器件）/0.7nm（材料）