中企着力提升AI存储器产能
据《日本经济新闻》7月8日报道,中国半导体巨头正在提升人工智能(AI)存储器的产能。长鑫存储公司和长江存储公司都在建设新工厂,预计从2027年起,产能有望达到现有水平的两倍以上,从而为企业带来更多商机。
长鑫存储主要从事用于临时数据存储的动态随机存取存储器(DRAM)和HBM(一种由DRAM堆叠而成的高性能存储器)的生产。据业内人士透露,HBM目前在长鑫存储安徽合肥的一家工厂生产,正在上海建设的新工厂计划从2027年起正式投产。随着新工厂投入运营,该公司的整体产能将达到现有水平的两倍以上。
长江存储主要生产用于长期承载数据的NAND闪存和固态硬盘(SSD),NAND闪存是SSD的主要组件。该公司正在湖北武汉建设第三家工厂,力争将量产时间从原定的2027年提前至2026年底。此外,该公司还计划建设两家工厂,预计所有工厂投产后,产能也将扩大至现有水平的两倍以上。
部分观点认为,长鑫存储和长江存储两家企业的增产努力将有助于抑制全球内存价格飙升的势头。香港媒体分析指出:“工厂将在2027年下半年集中投产,届时供需有望再次趋于平衡,大概率将终结此轮价格上涨。”
另据中国媒体报道,香港“对比法”技术市场研究公司的统计数据显示,长鑫存储在2026年第一季度的全球DRAM市场份额(按价值计)较去年同期扩大5个百分点,达到8%;同期长江存储的NAND闪存全球市场份额(按价值计)也较去年扩大5个百分点,达到13%。
美国政府对中国半导体产业的发展愈发警惕。一名中国半导体行业从业者指出,“美国的监管措施短期内会减缓这两家公司的增长”,但他同时认为,“从长远看,这些措施反而会壮大中国的半导体企业”。(编译/刘林)